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本发明公开了一种超短沟道二维半导体场效应晶体管及其制备方法，涉及集成电路技术领域，包括利用原子层沉积技术在重掺杂硅片表面沉积具有高介电常数的超薄氧化物介质层；利用通过剥离或者化学气相沉积法在介质层上制备超薄的二维半导体；利用干法转移技术将图...
该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

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