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本申请提供了一种铁电薄膜、铁电存储单元、铁电存储器阵列及芯片。铁电薄膜包括：铁电层，包含1%至5%的Al或Si掺杂铁电材料；或，包含1%至10%的TiN或TaN掺杂铁电材料；或，包含；其中，x的取值范围为0.25至0.75，γ的取值范围为1...该专利属于上海深明奥思半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海深明奥思半导体科技有限公司授权不得商用。
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本申请提供了一种铁电薄膜、铁电存储单元、铁电存储器阵列及芯片。铁电薄膜包括：铁电层，包含1%至5%的Al或Si掺杂铁电材料；或，包含1%至10%的TiN或TaN掺杂铁电材料；或，包含；其中，x的取值范围为0.25至0.75，γ的取值范围为1...