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本申请公开了一种基于Si‑SiC‑石墨烯衬底的POI衬底及其制备方法，属于POI衬底制备技术领域。该方法包括下述步骤：（1）对Si衬底进行分步C离子注入，得到依次包括薄膜层、注入层和余质层的晶圆注入片；（2）对支撑衬底进行退火修复，再进行高...
该专利属于达波科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过达波科技（上海）有限公司授权不得商用。

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