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本发明属于量子通信与量子信息处理领域，公开了一种基于电光聚合物调制的量子点‑光子晶体强耦合器件及制备方法，包括底层硅衬底、二氧化硅氧化层、顶层硅轻掺杂区和顶层硅重掺杂区、金属电极、发光层、电光聚合物层、ITO透明导电电极层。本发明的聚合物电...
该专利属于国科大杭州高等研究院所有，仅供学习研究参考，未经过国科大杭州高等研究院授权不得商用。

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