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本发明公开了一种微铜柱凸点互连电阻电迁移退化预测方法，包括：获取正向电流下与反向电流下Cu6Sn5层和Cu3Sn层中的Cu原子净通量以及Ni‑Cu‑Sn化合物层中的Ni原子净通量；建立Ni原子净通量与Ni‑Cu‑Sn化合物层厚度变化的关系以...该专利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））授权不得商用。