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本发明公开了一种氮化铝薄膜的远程外延生长方法，包括如下步骤：对硅衬底依次进行表面清洁、氩气蚀刻、退火处理、表面氮化处理，在所述硅衬底的表面形成Si3N4层；在硅衬底具有Si3N4层的一侧表面上形成单层石墨烯层；在所述单层石墨烯层上远程外延生...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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