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本发明涉及半导体制造技术领域，具体为一种用于GaN纳米孔电化学腐蚀的外延层结构及电化学腐蚀方法，从下至上依次包括：蓝宝石衬底；底部uGaN层，未掺杂GaN，厚度1‑2μm；电流扩散层，Si掺杂浓度1×1019/cm3，厚度0.1‑0.5μm...
该专利属于聚灿光电科技（宿迁）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技（宿迁）有限公司授权不得商用。

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