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本发明涉及一种用于形成一个或更多个垂直腔激光二极管的半导体结构，其包括：‑半导体层的堆叠，其基于III‑V族组分、限定了布置在由允许在限定的波长下的激光发射的至少一个量子阱构成的有源层上的上布拉格镜，有源层布置在下布拉格镜上，激光发射旨在经...
该专利属于索泰克公司所有，仅供学习研究参考，未经过索泰克公司授权不得商用。

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