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本发明公开了一种基于HVPE设备生长高质量的氮化镓晶体的制备方法，包括以下步骤：S1、提供蓝宝石衬底；S2、在蓝宝石衬底上做SiO2类圆柱层；S3、在SiO2类圆柱层上生长氮化镓成核层；S4、在氮化镓成核层上生长三维分布层；S5、在三维分布...
该专利属于无锡吴越半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡吴越半导体有限公司授权不得商用。

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