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本发明提供了一种半导体工艺方法，涉及半导体加工技术领域，以解决现有对叠层结构刻蚀过程中OX层和W层刻蚀侧壁凹凸不平的问题。半导体工艺方法包括主刻蚀步，使用第一工艺气体对叠层结构进行刻蚀，所述叠层结构由交替设置的OX层和W层形成，所述第一工艺...
该专利属于北京集成电路装备创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京集成电路装备创新中心有限公司授权不得商用。

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