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本发明提供了一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，为解决相关技术在刻蚀铌基约瑟夫森结的上层铌时，存在刻蚀侧壁形貌垂直度差的问题而设计。该铌基约瑟夫森结刻蚀方法包括提供半导体器件，半导体器件包括依次层叠设置的光阻层、...
该专利属于北京集成电路装备创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京集成电路装备创新中心有限公司授权不得商用。

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