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本发明提供了一种硬掩模叠层及其制作方法，属于半导体领域。硬掩模叠层包括基底层。中间层，所述中间层至少包括第一薄膜层和第二薄膜层，所述第一薄膜层设置于所述基底层表面，以及覆盖层，设置于所述第二薄膜层的表面。其中，所述中间层的材料包括氮氧硅化物...
该专利属于重庆芯联微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆芯联微电子有限公司授权不得商用。

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