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本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种高电注入效率的氮化镓基激光器及制备方法和装置，包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的n型氮化镓层、n型光限制层、n型自旋极化注入层、n型光波导层、多量子阱有源层、p型光波导层、p型自旋极化注入层、...
该专利属于武汉鑫威源电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉鑫威源电子科技有限公司授权不得商用。

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