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本申请涉及一种使用灰度曝光制作通孔的实验方法，旨在通过光刻与刻蚀过程的协同设计，实现具有特定倾角和深宽比的通孔结构。所述方法包括：确定通孔角度与深宽比、选择刻蚀条件、基于刻蚀速率选择比设计灰度掩模结构、实施灰度曝光获得掩模图形、刻蚀、去除残...
该专利属于绍芯实验室所有，仅供学习研究参考，未经过绍芯实验室授权不得商用。

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