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本申请属于晶体生长领域，公开了一种单晶金刚石及其生长方法，该单晶金刚石，由籽晶在持续通入氢气和氧气的氛围下循环刻蚀、生长得到，所述单晶金刚石的长度≥10.5mm。本申请得到的单晶金刚石长度超过10.5mm且能够避免多晶化严重的问题，确保单晶...
该专利属于浙江先导微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江先导微电子科技有限公司授权不得商用。

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