温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、栅极和源极，所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P阱层和P+层，所述...
该专利属于杭州清芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州清芯微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。