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本申请公开了一种图像传感器的制备方法、图像传感器及电子设备。其中，图像传感器的制备方法包括：提供一形成有浅槽隔离结构的衬底；在浅槽隔离结构的上方形成绝缘层；在绝缘层上形成多个间隔分布的隔离区域；在每个隔离区域形成具有双层的交错结构的光电二极...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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