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用半导体工艺加工一维高精度V型槽的方法，为了适应V型槽上深度不同的第一槽体和第二槽体，本发明先用等离子体介质刻蚀机在氧化硅保护层上加工出第一槽体和第二槽体，进一步采用等离子体深硅刻蚀机在硅片上单独加深第二槽体的深度，此时第二槽体的深度已大于...
该专利属于宁波芯链光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波芯链光电有限公司授权不得商用。

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