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本公开提供了一种半导体结构以及形成方法,其中,半导体结构包括:衬底、阻挡层、凹槽结构、多个支撑结构和电容结构;其中,阻挡层,覆盖衬底的部分区域;凹槽结构,贯穿阻挡层,并延伸至衬底内部;多个支撑结构,均设置在凹槽结构内,且均从凹槽结构的底部延...该专利属于湖北江城芯片中试服务有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过湖北江城芯片中试服务有限公司授权不得商用。
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