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半导体结构及其制造方法技术
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文档序号:46528105
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本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包括:衬底,衬底包括中间区域以及环绕中间区域的边缘区域,中间区域包括第一区域,以及环绕第一区域且位于第一区域和边缘区域之间的第二区域;多个导电凸块,位于衬底的表面;多个导电凸块包括位于...
该专利属于长鑫科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫科技集团股份有限公司授权不得商用。
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