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一种包括纵型MOS晶体管(10)的半导体装置(1)，纵型MOS晶体管(10)具有：从低浓度杂质层(33)的上表面贯通体区(18)而形成的在第一方向上延伸的多个第一沟槽(17)；以及从低浓度杂质层(33)的上表面贯通体区(18)而被形成为比多...
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