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包括至少一个霍尔传感器(110)的半导体芯片(100)。该至少一个霍尔传感器(110)包括：在半导体衬底中的具有第一导电类型的导电阱(111)；布置在导电阱(111)的表面处并且具有第一导电类型的多个阱触点(114)；在导电阱(111)的表...
该专利属于迈来芯保加利亚独资有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过迈来芯保加利亚独资有限责任公司授权不得商用。

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