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本发明提供一种能够降低在偏离沟槽的位置破裂的概率的半导体元件的制造方法。半导体元件的制造方法具备如下的工序：准备层叠体，所述层叠体包含具有晶体结构的基板和层叠于所述基板的多个半导体层；在所述层叠体形成前端分支的形状的沟槽，以所述沟槽为起点进...
该专利属于日亚化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日亚化学工业株式会社授权不得商用。

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