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本申请案的实施例涉及用于等离子体蚀刻衬底的方法和设备。一种等离子体蚀刻衬底的方法，所述方法包括：(a)提供其上形成有掩模的衬底，所述掩模具有开口，其中所述衬底包括至少一个GaN或GaN合金层；(b)执行第一等离子体蚀刻步骤以通过所述开口各向...
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