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本发明提供了一种混合封装的功率模块单元，其包括：铜槽结构、堆叠于铜槽结构内的Si MOSFET芯片和SiC JFET芯片；Si MOSFET芯片上设有电极片，电极片包括：N极电极片，N极电极片的一端与SiC JFET芯片连接。本发明通过将高...
该专利属于派恩杰半导体（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过派恩杰半导体（浙江）有限公司授权不得商用。

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