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本申请提供一种背接触电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。背接触电池的制备方法包括提供半导体基底；在半导体基底的背光面依次制备层叠设置的隧穿氧化层和本征硅基层；在本征硅基层上制备第一掺杂硅基层；去除第一区域的第一掺杂硅基层，使得第一区域...
该专利属于江苏微导纳米科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏微导纳米科技股份有限公司授权不得商用。

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