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本申请涉及光伏发电技术领域，公开了太阳能电池及其制备方法、光伏组件。本申请提出的一种太阳能电池，所述第一掺杂多晶硅层中硼元素的掺杂浓度为8×1019atoms/cm3‑8×1020atoms/cm3；第二隧穿氧化层，所述硅衬底的所述第二区域...
该专利属于扬州阿特斯太阳能电池有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州阿特斯太阳能电池有限公司授权不得商用。

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