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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，所述半导体衬底还包括相互垂直的x方向和y方向，所述第一区域和第三区域的半导体衬底表面形成有若干沿x方向延伸的鳍片结构；若干第一...
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