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本发明公开了一种航天用铝基碳化硅支架的低应力加工方法，对支架原材料进行固溶时效处理，固溶处理温度为500±5℃，保温时间为2～3小时，冷却介质为水，淬火转移时间小于6秒；0.5小时内进行人工时效处理，170℃保温4～6小时，在空气中冷却。对...该专利属于上海航天设备制造总厂有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海航天设备制造总厂有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种航天用铝基碳化硅支架的低应力加工方法，对支架原材料进行固溶时效处理，固溶处理温度为500±5℃，保温时间为2～3小时，冷却介质为水，淬火转移时间小于6秒；0.5小时内进行人工时效处理，170℃保温4～6小时，在空气中冷却。对...