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本技术属于雾化芯片领域，提供了一种并联电阻加热雾化芯，包括：基底，在基底上的绝缘层，沉积于绝缘层上至少两个带状的加热电阻，与加热电阻两端连接的第一正电极和负电极，以及避开加热电阻开设有贯通基底和绝缘层的雾化通孔；各加热电阻设置不同形状均匀的...
该专利属于晶上电子科技（江苏）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶上电子科技（江苏）有限公司授权不得商用。

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