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本发明一般涉及一种抑制在外延硅晶片的衬底／外延层界面附近的硅自填隙式扩散的方法，所述外延硅晶片具有重掺杂的硅衬底和轻掺杂的外延层。通过包括位错环的硅自填隙子汇层来抑制填隙子向所述外延层的扩散。...
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