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本发明属于半导体技术领域，提供一种超级结半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成N型硅外延层；在所述N型硅外延层上按照预设间隔形成多个深沟槽；所述深沟槽的侧壁与所述半导体衬底垂直；在所述深沟槽的侧壁...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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