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披露了一种用于通过使用沉积在衬底中的一个或多个含硅膜的顶部上的图案化掩模层选择性地蚀刻该一个或多个含硅膜以形成孔的蚀刻方法，该方法包括：将该衬底安装在加工腔室中；将含有含氧氢氟烃的蒸气的蚀刻气体引入该加工腔室中；将该蚀刻气体转变为等离子体；...
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