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本发明一般涉及一种通过分解衬底内存在的氧团簇和沉淀物来抑制外延硅晶片中的氧沉淀的方法，其中该外延硅晶片具有重掺杂的硅衬底和Ｎ轻掺杂的硅外延层。此外，还防止了在随后的氧沉淀热处理中形成氧沉淀。...
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