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半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆技术
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文档序号:46476921
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本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆,半导体器件包括:半导体本体;半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面,半导体本体还包括阱区和第一区域,第一表面设置有栅极沟槽,栅极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中;位于栅...
该专利属于武汉山拓微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉山拓微电子有限公司授权不得商用。
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