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本发明提供一种Si基InGaAs光电探测器及其制备方法。该Si基InGaAs光电探测器包括在硅衬底表面依次生长的Ge过渡层、GaAs过渡层和非掺杂InP缓冲层；以及在非掺杂InP缓冲层表面依次生长的下掺杂InP层、非掺杂InGaAs吸收层和...该专利属于中国电子技术标准化研究院（（工业和信息化部电子工业标准化研究院）（工业和信息化部电子第四研究院））所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子技术标准化研究院（（工业和信息化部电子工业标准化研究院）（工业和信息化部电子第四研究院））授权不得商用。