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本公开涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。存储器电路系统包括绝缘体材料，所述绝缘体材料在竖直紧邻的存储器单元层级之间延伸穿过竖直介于其间的绝缘材料层。所述绝缘体材料抵靠在所述竖直紧邻的存储器单元层级中的每一者中的水平晶体管的栅...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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