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一种自旋量子比特量子处理器的操纵区，包括布置在半导体异质结构(12)上的多个栅电极(50b‑1、50b‑2)。该多个栅电极包括布置在半导体异质结构中的第一路径(451)处的第一指栅组合件(50b‑1)和布置在半导体异质结构中的第二路径(45...
该专利属于亚琛工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过亚琛工业大学授权不得商用。

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