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本技术涉及功率模块技术领域，尤其涉及一种并联多芯片均流大功率全桥SiC模块。其技术方案包括外壳，所述外壳内固定有基板，所述基板的底部焊接有散热器，所述基板的顶部分别安装有信号端子、功率端子和开关元件，所述基板为两块，两块基板电性连接，所述基...
该专利属于宇泉半导体（保定）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宇泉半导体（保定）有限公司授权不得商用。

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