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在一个实施方式中，提供了一种用于生长硅(Si)单晶锭的设备，该设备包括：腔室；坩埚，其设置在腔室内并容纳Si熔体；加热单元，其设置在坩埚的外围和/或下部；第一水冷管，其固定在腔室内的上部部分，并且设置在从Si熔体生长并凸起的Si单晶锭的外围...
该专利属于爱思开矽得荣株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开矽得荣株式会社授权不得商用。

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