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本发明公开了一种纵向多次可编程存储器件及其制备方法，该方法包括：对本征半导体硅进行第一导电类型离子注入形成漏区、缓冲区和源区，并通过高温退火工艺修复离子注入过程中引起的晶体损伤；以掩膜版为基础，通过光刻步骤设置刻蚀停止区域，得到第一凹槽和第...
该专利属于江苏稻源科技集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏稻源科技集团有限公司授权不得商用。

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