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本发明提供一种金属膜层的刻蚀方法，包括：通过第一种刻蚀气体自上向下依次对各金属膜层进行刻蚀，直至刻蚀到最下方的金属膜层时停止刻蚀；使用第二种刻蚀气体将最下方的金属膜层干法刻蚀一部分后停止刻蚀；使用常规的干法去胶和湿法清洗去除光阻以及刻蚀过程...
该专利属于美新半导体（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美新半导体（绍兴）有限公司授权不得商用。

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