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本发明涉及半导体及压电材料领域，具体涉及一种提高钽酸锂晶片键合强度的方法，包括以下步骤：a）对钽酸锂晶片进行减薄、抛光和清洗；b）用弱碱性溶液清洗衬底片后立即进行冷却水浴清洗；c）对衬底片进行逐档降温处理后恒温储存；d）用等离子体对钽酸锂晶...
该专利属于天通控股股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天通控股股份有限公司授权不得商用。

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