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本技术公开了一种碳化硅外延生长加工装置，包括相互连接的下半月组件、上半月组件以及旋转载盘，所述下半月组件水平布置，且所述下半月组件的顶面上设置有上游涂层组件，其特征在于，所述上游涂层组件包括沿垂直于工艺气体的输送方向对位拼装适配的第一盖片和...
该专利属于北京天科合达半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京天科合达半导体股份有限公司授权不得商用。

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