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本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，其中半导体器件包括：衬底，衬底包括第一区域和第二区域；多个栅极结构，包括位于第一区域上的第一栅极结构和位于第二区域上的第二栅极结构，第一栅极结构包括从下往上依序堆叠的沟道层、第一栅极介电层、第一阻障层和...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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