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本发明涉及一种环硅氮烷化合物、包含其的用于沉积含硅薄膜的组合物及使用其制备含硅薄膜的方法，使用根据本发明的环硅氮烷化合物作为硅前体来制备的含硅薄膜不仅具有优异的化学稳定性和热稳定性，而且具有低介电常数，因此可以有效地用作半导体器件的绝缘膜，...
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