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本发明涉及包括同位素贫化半导体层的结构以及形成此类结构的方法。该结构包括半导体层，该半导体层包括具有一浓度的同位素的半导体材料，该浓度小于该第一同位素的自然丰度且大于百万分之零。...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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