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本公开提供了一种改善漏电的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括：在图形化衬底上形成外延结构；将所述外延结构的远离所述图形化衬底的表面键合至导电基板上，并去除所述图形化衬底；刻蚀所述外延结构的远离所述导电...
该专利属于京东方华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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