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本发明实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，半导体本体还包括阱区和第一区域；第一表面还设置有沟槽，沟槽包括连通的耐压层填充沟槽和栅极沟槽，栅极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中，耐压层填...
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