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本发明公开了一种半导体边发射器件的端面等效反射率测量方法。该测量方法包括：提供一待测器件和一参比器件；分别对待测器件和参比器件施加预设电流，测量待测器件的第一初始光谱和参比器件的第二初始光谱；对第一初始光谱进行信号集中与滤波分离，得到第一频...
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